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IXFH12N100P IXFV12N100P
IXFV12N100PS
16
Fig. 7. Input Admittance
18
Fig. 8. Transconductance
14
16
T J = - 40oC
12
10
T J = 125oC
25oC
- 40oC
14
12
10
25oC
125oC
8
8
6
6
4
2
0
4
2
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
40
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = 125oC
T J = 25oC
14
12
10
8
6
4
2
0
V DS = 500V
I D = 6A
I G = 10mA
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
Ciss
1,000
0.1
100
10
f = 1 MHz
Coss
Crss
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_12N100P(75-744)4-01-08-A
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